東芝基于其U-MOSX-H工藝推出了兩個80V N溝道功率MOSFET。TPH2R408QM和TPN19008QM，適用于低損耗要求的電源應用，包括數據中心和通信基站以及電機驅動設備中的AC-DC和DC-DC轉換。與早期工藝中的相應80V產品（例如U-MOSVIII-H）相比，TPH2R408QM和TPN19008QM的漏源導通電阻（RDS（ON））均降低了約40％。
TPN19008QM的RDS（ON）值為19mΩ（MAX），而TPH2R408QM值為2.43mΩ。
該公司表示，已經優化了器件結構，將RDS（ON）和柵極電荷特性之間的權衡提高了15％，并將RDS（ON）和輸出電荷之間的權衡了31％。
MOSFET采用表面貼裝封裝，額定漏源電壓為80V。它們可在高達175oC的通道溫度下工作。TPN19008QM的額定漏極電流為34A，并采用3.3×3.3mm TSON封裝，而TPH2R408QM的額定電流為120A，并采用5x6mm SOP封裝。
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