MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOSVI)
XPN9R614MC
應用：汽車、開關穩壓器、DC-DC 轉換器、電機驅動器
特點
(1) AEC-Q101 認證標準
(2) 小而薄的封裝
(3) 低漏源導通電阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）（VGS = -10 V）
(4) 低漏電流：IDSS = -10 μA（最大值）（VDS = -40 V）
(5) 增強模式：Vth = -1.0 至 -2.1 V（VDS = -10 V，ID = -0.5 mA）
絕對最大額定值：
| 項目 | 符號 | 值 | 單位 |
| Drain-Source voltage | VDSS | -40 | V |
| Gate-Source voltage | VGSS | +10/-20 | V |
| Drain current | ID | -40 | A |
| Power Dissipation | PD | 100 | W |
電氣特性：
| 項目 | 符號 | 條件 | 值 | 單位 |
| Gate threshold voltage (Max) | Vth |
| -2.1 | V |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=10V | 9.6 | mΩ |
| Drain-Source on-resistance (Max) | RDS(ON) | |VGS|=4.5V | 13.4 | mΩ |
| Input capacitance (Typ.) | Ciss |
| 3000 | pF |
| Total gate charge (Typ.) | Qg | VGS=-10V | 64 | nC |