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STM32F103
LM358
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2N7002
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場效應晶體管
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TK16J60W,S1VE
零件型號
TK16J60W,S1VE
制造商
TOSHIBA
簡要描述
MOSFET PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
現有數量
40000個
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產品參數
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零件型號
TK16J60W,S1VE
制造商
TOSHIBA
簡要描述
MOSFET PD=130W 1MHz PWR MOSFET TRNS
封裝
TO-247
批次
21+
Id-連續漏極電流
15.8 A
工作溫度
- 55 C 至 + 150 C
通道數量
1 Channel
Pd-功率耗散
130 W
Qg-柵極電荷
38 nC
Rds On-導通電阻
190 mOhms
上升時間
25 ns
典型關閉延遲
100 ns
典型接通延遲
50 ns
Vds-漏源極擊穿電壓
600 V
Vgs - 柵極-源極電
- 30 V, + 30 V
Vgs 柵極閾值電壓
3.7 V
數據表下載
PDF下載
零件型號
制造商
簡要描述
現有數量
單價(CNY)
AO3160E
AOS
600V,0.04A N-CHANNEL MOSFET
63683
¥
0.7
AO3162
AOS
MOSFET N-CH 600V 0.034A SOT23
43739
¥
0.7
AO3400A
AOS
MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23
63799
¥
0.7
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